日期:2025-03-28 分类:产品替代 浏览:241 来源:广东佑风微电子有限公司
型号:YFW15G04S
沟道类型:低压N+P沟MOS管
封装:SOP-8
品牌:YFW佑风微
N沟最大漏极电流ID:18A
N沟漏源击穿电压VDS:40V
P沟最大漏极电流ID:16A
P沟漏源击穿电压VDS:-40V
N沟栅极阈值电压VGS(th):1.2V-2.5V
N沟漏极源极导通电阻RDS(ON):24mΩ
P沟栅极阈值电压VGS(th):-1.0V - -2.5V
P沟漏极源极导通电阻RDS(ON):42mΩ
引脚数量:8
产品特性:采用先进的沟槽技术,提供卓越的RDS(ON),低栅极电荷和低至2.5V的栅极电压操作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
产品应用:无刷直流电机 高静电
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