日期:2025-03-28 分类:产品替代 浏览:214 来源:广东佑风微电子有限公司
型号:YFW3G03LI
沟道类型:低压N+P沟MOS管
封装:SOT23-6L
品牌:YFW佑风微
N沟最大漏极电流ID:3.8A
N沟漏源击穿电压VDS:30V
P沟最大漏极电流ID:-3.2A
P沟漏源击穿电压VDS:-30V
N沟栅极阈值电压VGS(th):0.6V-1.4V
N沟漏极源极导通电阻RDS(ON):115mΩ
P沟栅极阈值电压VGS(th):-0.6V - -1.4V
P沟漏极源极导通电阻RDS(ON):250mΩ
引脚数量:6
产品特性:采用先进的沟槽技术,提供卓越的RDS(ON),低栅极电荷和低至2.5V的栅极电压操作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
产品应用:电池保护 负载开关 不间断电源
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