YFW4G02LI 4A 20V SOT23-6L 印字4G02LI 低压N+P沟MOS管 YFW佑风微品牌

型号：YFW4G02LI

沟道类型：低压N+P沟MOS管

封装：SOT23-6L

品牌：YFW佑风微

N沟最大漏极电流ID：4.5A

N沟漏源击穿电压VDS：20V

P沟最大漏极电流ID：-3.8A

P沟漏源击穿电压VDS：-20V

N沟栅极阈值电压VGS(th)：0.5V-1.2V

N沟漏极源极导通电阻RDS(ON)：40mΩ

P沟栅极阈值电压VGS(th)：-0.45V - -1.0V

P沟漏极源极导通电阻RDS(ON)：100mΩ

引脚数量：6

产品特性：表面贴装封装 低Rps(on) 在低逻辑电平门驱动器下操作 ESD保护门

产品应用：无刷直流电机

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