日期:2025-11-26 分类:产品替代 浏览:195 来源:广东佑风微电子有限公司
封装:TO-247-4L
漏源电压VDS:650V
栅源电压VGS:3.6A
持续漏极电流ID:70A
栅源阈值电压VGS(th):2V VDS=VGS, ID=10mA
漏源导通电阻RDS(ON):30mΩ VGS=15V ID=30A
总栅极电荷Qg:111nC
输入电容Ciss:2550PF
引脚数量:4
产品特性:第三代SiC MOSFET技术 高速开关,低电容
带独立驱动源极引脚的优化封装
漏极与源极之间爬电距离>8mm
高阻断电压,低导通电阻
具有低反向恢复时间(Orr)的快速本征二极管
产品应用:电机驱动器 电动汽车充电站
高压直流/直流转换器
欢迎咨询“佑风微电子”我司是一家专业从事半导体分立器件研发、生产、销售的高新科技企业。公司主要生产销售:普通整流二极管、快恢复二极管、高效率二极管、超快恢复二极管、肖特基二极管低压降肖特基二极管、碳化硅二极管、整流桥堆、快恢复整流桥堆、肖特基桥堆、TVS瞬态抑制二极管、ESD静电保护元件、稳压二极管、晶体管、可控硅晶闸管、MOS场效应管等等。更多详情可上我司官网www.yfwdiode.com了解。
上一篇: YFW佑风微 超快恢复二极管MUR1020FCT TO-220F产品替代SG10LC20USM
下一篇: YFWM318065AFG3 TO-220F 印字YFW M318065AFG3 SiC MOSFET碳化硅MOS管 YFW佑风微品牌